SIHJ8N60E-T1-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 600V POWERPAK SO-8L
Không có chì / tuân thủ RoHS
Sản phẩm bán dẫn rời
SIHJ8N60E-T1-GE3.pdf

Chúng tôi có thể cung cấp Vishay / Siliconix SIHJ8N60E-T1-GE3, sử dụng mẫu yêu cầu báo giá để yêu cầu SIHJ8N60E-T1-GE3 pirce, Vishay / Siliconix Datasheet PDF và lead time.Zeanoit.com là nhà phân phối linh kiện điện tử chuyên nghiệp. Với hơn 3 triệu đơn vị sản phẩm điện tử có thể vận chuyển trong thời gian ngắn, trên 250 nghìn số linh kiện điện tử trong kho để giao hàng ngay lập tức, có thể bao gồm bộ phận SIHJ8N60E-T1-GE3. Giá và thời gian chì cho SIHJ8N60E-T1-GE3 tùy thuộc vào số lượng yêu cầu, tính sẵn có và vị trí nhà kho.

Request Quote

In Stock~~35 pcs~~: Tối thiểu:1; Bội số:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Giá bán
1	$2.26
10	$2.032
25	$1.917
100	$1.633
250	$1.534
500	$1.342
1000	$1.112

Thông số kỹ thuật
Đánh giá
Thanh toán
Đang chuyển hàng
Bao bì

VGS (th) (Max) @ Id:	4V @ 250µA
Vgs (Tối đa):	±30V
Công nghệ:	MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:	PowerPAK® SO-8
Loạt:	-
Rds On (Max) @ Id, VGS:	520 mOhm @ 4A, 10V
Điện cực phân tán (Max):	89W (Tc)
Bao bì:	Original-Reel®
Gói / Case:	PowerPAK® SO-8
Nhiệt độ hoạt động:	-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:	Surface Mount
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:	754pF @ 100V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:	44nC @ 10V
Loại FET:	N-Channel
FET Feature:	-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):	10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):	600V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:	8A (Tc)