NGTB35N60FL2WG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor
IGBT 600V 70A 300W TO247
Không có chì / tuân thủ RoHS
Sản phẩm bán dẫn rời
NGTB35N60FL2WG.pdf

phần số NGTB35N60FL2WG Đây có phải là một phần được sử dụng phổ biến không? : Vâng
Vận chuyển từ: kho HK hoặc Singapore
Cùng một mô hình có thể có nhiều lô, hình ảnh chỉ để tham khảo.
Mô hình ECAD: Liên hệ với chúng tôi để có được
Email: sales@zeanoit.com

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Tối thiểu:1; Bội số:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Thông số kỹ thuật
Đánh giá
Thanh toán
Đang chuyển hàng
Bao bì

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	600V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic:	2V @ 15V, 35A
Điều kiện kiểm tra:	400V, 35A, 10 Ohm, 15V
Td (bật / tắt) @ 25 ° C:	72ns/132ns
chuyển đổi năng lượng:	840µJ (on), 280µJ (off)
Gói thiết bị nhà cung cấp:	TO-247
Loạt:	-
Xếp Thời gian phục hồi (TRR):	68ns
Power - Max:	300W
Bao bì:	Tube
Gói / Case:	TO-247-3
Nhiệt độ hoạt động:	-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:	Through Hole
Kiểu đầu vào:	Standard
Loại IGBT:	Trench Field Stop
cổng phí:	125nC
Hiện tại - Collector xung (Icm):	120A
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	70A